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FDC636P_F095

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT-6
數量:
 4545  
說明:
 MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE
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FDC636P_F095-SuperSOT-6圖片

FDC636P_F095 PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:8 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:26 ns
功率耗散:1600 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:26 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SuperSOT-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
漏極連續電流:2.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDC636P_F095的詳細信息,包括FDC636P_F095廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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