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BSC119N03S G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-1
數(shù)量：: 6201
說明：: MOSFET N-CH 30V 11.9A

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BSC119N03S G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：BSC119N03SGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：15 ns
工廠包裝數(shù)量：1
上升時(shí)間：3.4 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：2.6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TDSON
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0119 Ohms
漏極連續(xù)電流：11.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是BSC119N03S G的詳細(xì)信息，包括BSC119N03S G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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