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BSC12DN20NS3G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TDSON-8
數量:
 6246  
說明:
 MOSFET N-CH 200V 11.3A
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BSC12DN20NS3G-PG-TDSON-8圖片

BSC12DN20NS3G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GXT
功率耗散:50 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12 S, 6 S
包裝形式:Reel
封裝形式:PG-TDSON-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):108 mOhms
漏極連續電流:11.3 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是BSC12DN20NS3G的詳細信息,包括BSC12DN20NS3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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