色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > BSC12DN20NS3GATMA1

BSC12DN20NS3GATMA1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TDSON-8-5
數量：: 7470
說明：: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

一、本商品被瀏覽0次.

BSC12DN20NS3GATMA1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：680 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8.7 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 25μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 5.7A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11.3A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：200 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是BSC12DN20NS3GATMA1的詳細信息，包括BSC12DN20NS3GATMA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1