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2SK3767(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-220SIS
數量：: 3542
說明：: MOSFET N-Ch 600V 2A Rdson 4.5 Ohm

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2SK3767(Q) PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：48 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：40 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-220SIS
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.5 Ohms
漏極連續電流：2 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是2SK3767(Q)的詳細信息，包括2SK3767(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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