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2SK3798(STA4,Q,M)

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220SIS
數量:
 5931  
說明:
 POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
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2SK3798(STA4,Q,M) PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C
功率耗散(最大值):40W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):26 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.5 歐姆 @ 2A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4A(Ta)
漏源電壓(Vdss):900 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

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