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中文參數(shù)如下:
典型關(guān)閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:110 ns
功率耗散:50 W
柵極電荷 Qg:62 nC
下降時間:215 ns
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.43 Ohms
漏極連續(xù)電流:13 A
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
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