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2N5551RL1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-92(TO-226)
數(shù)量:
 1386  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN
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2N5551RL1G-TO-92(TO-226)圖片

2N5551RL1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應(yīng)商器件:
封裝封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長基體(成形引線)
安裝類型:通孔
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:300MHz
功率 - 最大值:625 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):200mV @ 5mA,50mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):160 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):600 mA
晶體管類型:NPN
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT)
品牌:onsemi

以上是2N5551RL1G的詳細(xì)信息,包括2N5551RL1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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