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2N5551TAR_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-92
數量:
 8388  
說明:
 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5551TAR_Q-TO-92圖片

2N5551TAR_Q PDF參數資料

中文參數如下:

包裝形式:Ammo
最小工作溫度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
集電極連續電流:0.6 A
封裝形式:TO-92
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:80 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT:300 MHz
最大直流電集電極電流:0.6 A
集電極—射極飽和電壓:180 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:160 V
集電極—基極電壓 VCBO:180 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5551TAR_Q的詳細信息,包括2N5551TAR_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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