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2N5551TAR

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-92-3 Kinked Lead
數量：: 14127
說明：: 兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose

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2N5551TAR PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
包裝形式：Ammo
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
直流電流增益 hFE 最大值：250
集電極連續電流：0.6 A
封裝形式：TO-92-3 Kinked Lead
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：80
增益帶寬產品fT：300 MHz
最大直流電集電極電流：0.6 A
集電極—射極飽和電壓：180 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：160 V
集電極—基極電壓 VCBO：180 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N5551TAR的詳細信息，包括2N5551TAR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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