Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計(jì)算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動(dòng)器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對(duì)儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號(hào)進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4925DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4925DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4925DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4926DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.3/10.5A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電流：5.3 A, 7.5 ... | ||||||
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SI4927DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4927DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：7.4 A，電... | ||||||
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SI4927DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：7.4 A，電... | ||||||
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SI4927DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 7.4A 2.5W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4931DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 8.9A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4931DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 2,478 | MOSFET 12V 8.9A 2.0W 18mohm @ 4.5V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4932DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 89 | MOSFET 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4933DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 12V 9.8A 1.1W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4933DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET DUAL P-CH 12V (D-S) | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4933DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 12V 9.8A 2.0W 14mohm @ 4.5V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SI4936ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI4936ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5.9 A，電... | ||||||
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SI4936ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 21,858 | MOSFET 30V 5.9A 2W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9A 2.0W 36mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SI4936BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | 22,869 | MOSFET 30 Volt 6.9 Amp 2.8W | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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