Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎架構(gòu)中的電源，也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應、開關(guān)和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SI4532ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4532ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4532CDY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V，閘/源擊穿電壓：+... | ||||||
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SI4532DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：3... | ||||||
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SI4532DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5... | ||||||
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SI4539ADY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY-T1 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5... | ||||||
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SI4539ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539ADY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2.0W 36/53mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4539DY-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30V 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：5... | ||||||
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SI4539DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | SO-8 | MOSFET 30 Volt 5.9/4.9A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4542DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6... | ||||||
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SI4542DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6... | ||||||
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SI4542DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2W | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4542DY-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | 8-SOIC | MOSFET 30V 6.9/6.1A 2.0W 25/32mohm @ 10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4544DY | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：6... | ||||||
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SI4544DY-E3 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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SI4544DY-T1 | Vishay/Siliconix | SOIC-8 Narrow | MOSFET 30V 6.5/5.7A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N and P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 2... | ||||||
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