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SI4532DY-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 4212  
說明:
 MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
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SI4532DY-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:18 ns, 14 ns
工廠包裝數量:100
上升時間:9 ns, 9 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns, 8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):65 mOhms, 85 mOhms
漏極連續電流:3.9 A, 3.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI4532DY-E3的詳細信息,包括SI4532DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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