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SI4532CDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 7191
說明：: MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V

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SI4532CDY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4532CDY-GE3
典型關閉延遲時間：14 nS, 17 nS
工廠包裝數量：2500
上升時間：12 nS, 13 nS
功率耗散：2.78 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6 nC, 7.8 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7 S, 7 S
下降時間：6 nS, 7.7 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.047 Ohms at 10 V, 0.089 Ohms at - 10 V
漏極連續電流：6 A, - 4.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4532CDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4532CDY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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