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Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix

Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機、手機和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源,也可用計算機磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。
圖片 型號 品牌 封裝 數(shù)量 描述 PDF資料
點擊查看SIE848DF-T1-GE3參考圖片 SIE848DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
SIE850DF-T1-E3 Vishay/Siliconix PolarPAK-10 MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
SIE850DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix PolarPAK-10 MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIE854DF-T1-E3參考圖片 SIE854DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIE854DF-T1-GE3參考圖片 SIE854DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:100 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏...
點擊查看SIE860DF-T1-E3參考圖片 SIE860DF-T1-E3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(M) MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE860DF-T1-GE3參考圖片 SIE860DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(M) MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE862DF-T1-GE3參考圖片 SIE862DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(U) MOSFET 30V 134A 104W 3.2mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,包裝形式:Reel,零件號別名:SIE862DF-GE3,...
點擊查看SIE864DF-T1-GE3參考圖片 SIE864DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(U) MOSFET 30V 45A N-CH MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,漏極連續(xù)電流:45 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):5.6 mOhms,配置:Singl...
點擊查看SIE868DF-T1-GE3參考圖片 SIE868DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 40V 169A 125W 2.3mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,包裝形式:Reel,零件號別名:SIE868DF-GE3,...
點擊查看SIE874DF-T1-GE3參考圖片 SIE874DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) 413 MOSFET 20V 60A N-CH MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流:60 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.9...
點擊查看SIE876DF-T1-GE3參考圖片 SIE876DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 60V 110A 125W 6.1mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:60 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIE878DF-T1-GE3參考圖片 SIE878DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 25 Volts 45 Amps 25 Watts
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIE882DF-T1-GE3參考圖片 SIE882DF-T1-GE3 Vishay/Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:25 V,閘/源擊穿電壓:20 V,漏極連續(xù)電流...
點擊查看SIF902EDZ-T1-E3參考圖片 SIF902EDZ-T1-E3 Vishay/Siliconix PowerPAK?(2x5) MOSFET 20V 10.3A 3.5W 2.5mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIF902EDZ-T1-GE3參考圖片 SIF902EDZ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK-6 MOSFET 20V 10.3A 3.5W 22mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:20 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIF912EDZ-T1-GE3參考圖片 SIF912EDZ-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK-6 MOSFET 30V 10.7A 3.5W 19mohm @ 4.5V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 12 V,漏極...
點擊查看SIR158DP-T1-GE3參考圖片 SIR158DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET 30V 60A 83W 1.8mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR164DP-T1-GE3參考圖片 SIR164DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 5,058 MOSFET 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V
參數(shù):制造商:Vishay,產(chǎn)品種類:MOSFET,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,閘/源擊穿電壓:+/- 20 V,漏極...
點擊查看SIR166DP-T1-GE3參考圖片 SIR166DP-T1-GE3 Vishay/Siliconix PowerPAK? SO-8 22 MOSFET 30V 40A N-CH MOSFET
參數(shù):制造商:Vishay,RoHS:是,晶體管極性:N-Channel,汲極/源極擊穿電壓:30 V,漏極連續(xù)電流:40 A,電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0...

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