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SIF902EDZ-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK-6
數(shù)量：
 6156  
說明：
 MOSFET 20V 10.3A 3.5W 22mohm @ 4.5V
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SIF902EDZ-T1-GE3-PowerPAK-6圖片

SIF902EDZ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIF902EDZ-GE3
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：22 mOhms
漏極連續(xù)電流：7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIF902EDZ-T1-GE3的詳細信息，包括SIF902EDZ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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