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SIE882DF-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 10-PolarPAK?(L)
數量:
 738  
說明:
 MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V
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SIE882DF-T1-GE3-10-PolarPAK?(L)圖片

SIE882DF-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIE882DF-GE3
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:46 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :125 S
包裝形式:Reel
封裝形式:PolarPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0014 Ohms at 10 V
漏極連續電流:229 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIE882DF-T1-GE3的詳細信息,包括SIE882DF-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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