| 圖片 |
型號(hào) |
品牌 |
封裝 |
數(shù)量 |
描述 |
PDF資料 |
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NE3512S02-T1C-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.3... |
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NE3512S02-T1D-A |
CEL |
S0-2 |
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：12 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.35 dB，正向跨導(dǎo) g... |
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NE3514S02-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 K Band Super Low Noise Amp N-Ch |
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| 參數(shù)：CEL|帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|20GHz|10dB|2 V|70mA|0.75dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD，扁平引線|S02... |
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NE3514S02-T1D-A |
CEL |
S0-2 |
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：10 dB，噪聲系數(shù)：0.75 dB，正向跨導(dǎo) gFS... |
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NE3515S02-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12.5dB|2 V|88mA|0.3dB|10 mA|14dBm|4 V|-|4-SMD，扁平... |
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NE3515S02-T1C-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12.5dB|2 V|88mA|0.3... |
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NE3515S02-T1D-A |
CEL |
S02 |
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射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12.5dB|2 V|88mA|0.3dB|10 mA|14dBm|4 V|-|4-SM... |
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NE3517S03-A |
CEL |
S0-3 |
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射頻GaAs晶體管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：55 ... |
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NE3517S03-T1D-A |
CEL |
S0-3 |
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射頻GaAs晶體管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：55 ... |
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NE3210S01 |
CEL |
SMD |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|帶|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|15mA|0.35dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|SMD... |
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NE3210S01-T1B |
CEL |
SMD |
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射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|13.5dB|2 V|15mA|0.35dB|10 mA|-|4 V|-|4-SMD|S... |
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NE350184C |
CEL |
84C |
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射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|20GHz|13.5dB|2 V|70mA|0.7dB|10 mA|-|4 V|-|微型-X 陶瓷 84C|... |
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NE350184C-T1 |
CEL |
Micro-X Ceramic (84 C) |
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射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gF... |
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NE350184C-T1A |
CEL |
Micro-X Ceramic (84 C) |
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射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：20 GHz，增益：13.5 dB，噪聲系數(shù)：0.7 dB，正向跨導(dǎo) gF... |
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NE3503M04-A |
CEL |
M04 |
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射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|Digi-Key 停止提供|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12dB|2 V|70mA|0.45dB|10 mA|-|4 V|-|SO... |
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NE3503M04-T2-A |
CEL |
M04 |
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射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET |
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| 參數(shù)：CEL|卷帶（TR）|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|12GHz|12dB|2 V|70mA|0.45dB|10 mA|-|4 V|-|SOT-343F|... |
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NE3508M04-A |
CEL |
F4TSMM，M04 |
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射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET |
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| 參數(shù)：CEL|散裝|-|停產(chǎn)|GaAs HJ-FET|-|2GHz|14dB|2 V|120mA|0.45dB|10 mA|18dBm|4 V|-|SOT-343F|... |
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NE3508M04-EVNF23 |
CEL |
FTSMM-4 (M04) |
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射頻GaAs晶體管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管，RoHS：是，技術(shù)類型：HEMT，頻率：2 GHz，增益：14 dB，噪聲系數(shù)：0.45 dB，正向跨導(dǎo) gFS（... |
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NE71300 |
CEL |
CHIP |
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射頻GaAs晶體管 Ku-K Band MESFET OBSOLETE BY MFG |
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| 參數(shù)：制造商：CEL，RoHS：否，技術(shù)類型：MESFET，頻率：12 GHz，增益：9.5 dB，噪聲系數(shù)：1.6 dB，正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：50... |
