色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

NE350184C-T1

廠家：
  CEL
封裝：
 Micro-X Ceramic (84 C)
數量：
 3357  
說明：
 射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
NE350184C-T1-Micro-X Ceramic (84 C)圖片

NE350184C-T1 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：5000
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro-X Ceramic (84 C)
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續電流：70 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：40 mS
噪聲系數：0.7 dB
增益：13.5 dB
頻率：20 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE350184C-T1的詳細信息，包括NE350184C-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • NE3508M04-A圖片

    NE3508M04-A

    射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • NE3508M04-T2-A圖片

    NE3508M04-T2-A

    射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • NE3509M04-A圖片

    NE3509M04-A

    射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 饶平县| 漾濞| 古浪县| 淳安县| 桑植县| 班戈县| 塘沽区| 永昌县| 华宁县| 北川| 宾川县| 乡城县| 岐山县| 原阳县| 喀喇沁旗| 正安县| 葵青区| 潞西市| 西乡县| 贡嘎县| 澎湖县| 泰顺县| 泗水县| 沭阳县| 龙口市| 巴林左旗| 武川县| 修文县| 渝北区| 永宁县| 缙云县| 宜君县| 宕昌县| 九江县| 漠河县| 溧水县| 文水县| 碌曲县| 永济市| 石泉县| 永兴县|