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NE3508M04-EVNF23

廠家：
  CEL
封裝：
 FTSMM-4 (M04)
數量：
 3375  
說明：
 射頻GaAs晶體管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt
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NE3508M04-EVNF23 PDF參數資料

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中文參數如下：

包裝形式：Box
P1dB：18 dBm
封裝形式：FTSMM-4 (M04)
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：175 mW
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續電流：120 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：100 mS
噪聲系數：0.45 dB
增益：14 dB
頻率：2 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE3508M04-EVNF23的詳細信息，包括NE3508M04-EVNF23廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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