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TPC8111(TE12L,Q,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
數量：: 801
說明：: MOSFET MOSFET P-Ch 30V 11A Rdson=0.012Ohm

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TPC8111(TE12L,Q,M) PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：3000
上升時間：18 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：109 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.012 Ohms
漏極連續電流：- 11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPC8111(TE12L,Q,M)的詳細信息，包括TPC8111(TE12L,Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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