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TPC8115(TE12L,Q,M)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
數(shù)量:
 855  
說明:
 MOSFET MOSFET P-Ch 20V 10A Rdson=0.01Ohm
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TPC8115(TE12L,Q,M)-8-SOIC(0.173

TPC8115(TE12L,Q,M) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:14 ns
功率耗散:1.9 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:228 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Source Triple Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流:10 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TPC8115(TE12L,Q,M)的詳細(xì)信息,包括TPC8115(TE12L,Q,M)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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