色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > TPC8107(TE12L,Q,M)

TPC8107(TE12L,Q,M)

廠家：: Toshiba
封裝：: SOP-8
數量：: 729
說明：: MOSFET MOSFET P-Ch 30V 13A Rdson=0.007Ohm

一、本商品被瀏覽0次.

TPC8107(TE12L,Q,M) PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：92 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：124 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：93 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.007 Ohms
漏極連續電流：13 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPC8107(TE12L,Q,M)的詳細信息，包括TPC8107(TE12L,Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1