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TK55D10J1(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 2862  
說明:
 MOSFET MOSFET N-Ch
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TK55D10J1(Q)-TO-220-3圖片

TK55D10J1(Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:7 ns
功率耗散:140 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0105 Ohms
漏極連續(xù)電流:55 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TK55D10J1(Q)的詳細(xì)信息,包括TK55D10J1(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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