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TK56E12N1,S1X

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 8640  
說明:
 MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
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TK56E12N1,S1X-TO-220-3圖片

TK56E12N1,S1X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:73 ns
上升時間:20 ns
功率耗散:168 W
柵極電荷 Qg:69 nC
下降時間:23 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):5.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:112 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:120 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是TK56E12N1,S1X的詳細信息,包括TK56E12N1,S1X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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