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TK3A60DA(Q,M)

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220SIS
數量：: 3372
說明：: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS

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TK3A60DA(Q,M) PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：30W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.8 歐姆 @ 1.3A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：2.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：π-MOSVII
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK3A60DA(Q,M)的詳細信息，包括TK3A60DA(Q,M)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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