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TK3R1E04PL,S1X

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: TO-220
數量：: 3195
說明：: MOSFET N-CH 40V 100A TO220

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TK3R1E04PL,S1X PDF參數資料

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中文參數如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：87W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4670 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：63.4 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.8 毫歐 @ 30A，4.5V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：U-MOSIX-H
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK3R1E04PL,S1X的詳細信息，包括TK3R1E04PL,S1X廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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