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TK12A60U(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-220SIS
數量:
 2502  
說明:
 MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
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TK12A60U(Q)-TO-220SIS圖片

TK12A60U(Q) PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:30 ns
功率耗散:35 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220SIS
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.4 Ohms
漏極連續電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TK12A60U(Q)的詳細信息,包括TK12A60U(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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