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TK12Q60W,S1VQ

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 I-Pak
數量:
 4509  
說明:
 MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
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TK12Q60W,S1VQ-I-Pak圖片

TK12Q60W,S1VQ PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):100W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):890 pF @ 300 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):25 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 600μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):340 毫歐 @ 5.8A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):11.5A(Ta)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:DTMOSIV
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK12Q60W,S1VQ的詳細信息,包括TK12Q60W,S1VQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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