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SUB85N03-04P-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263-3
數量：
 423  
說明：
 MOSFET 30V 85A 166W
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SUB85N03-04P-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：800
上升時間：12 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：22 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.3 mOhms
漏極連續電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB85N03-04P-E3的詳細信息，包括SUB85N03-04P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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