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SUB85N08-08-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3
數量：: 513
說明：: MOSFET 75V 85A 250W

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SUB85N08-08-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：115 ns
功率耗散：3.7 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：80 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8 mOhms
漏極連續電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：75 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB85N08-08-E3的詳細信息，包括SUB85N08-08-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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