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中文參數如下:
功率耗散:1.7 W
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.8 Ohms
漏極連續電流:0.5 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:450 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STS1DN45K3的詳細信息,包括STS1DN45K3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!