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STS1HNK60

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 3564
說明：: MOSFET NPN Transistor

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STS1HNK60 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2500
上升時間：5 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 65 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8.5 Ohms
漏極連續電流：0.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS1HNK60的詳細信息，包括STS1HNK60廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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