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STP180N55F3

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 4536
說(shuō)明：: MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

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STP180N55F3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：110 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：150 ns
功率耗散：330 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0038 Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP180N55F3的詳細(xì)信息，包括STP180N55F3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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