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STP18N60DM2

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220
數量:
 3654  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 12A TO220
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STP18N60DM2-TO-220圖片

STP18N60DM2 PDF參數資料

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中文參數如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):90W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):20 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):295 毫歐 @ 6A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):12A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:MDmesh? DM2
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是STP18N60DM2的詳細信息,包括STP18N60DM2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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