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STGB35N35LZT4

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數量:
 6255  
說明:
 IGBT 晶體管 EAS 350 mJ 350 V Int clamped IGBT
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STGB35N35LZT4-D2PAK(TO-263)圖片

STGB35N35LZT4 PDF參數資料

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中文參數如下:

安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
功率耗散:176 W
柵極—射極漏泄電流:625 uA
在25 C的連續集電極電流:40 A
柵極/發射極最大電壓:16 V
集電極—射極飽和電壓:1.15 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:345 V
RoHS:是
產品種類:IGBT 晶體管
制造商:STMicroelectronics

以上是STGB35N35LZT4的詳細信息,包括STGB35N35LZT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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