色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<center id="osoe8"></center>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > STGB3NB60KDT4

STGB3NB60KDT4

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數量：: 6300
說明：: IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 6 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

STGB3NB60KDT4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：10 A
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：50 W
柵極—射極漏泄電流：+/- 100 nA
在25 C的連續集電極電流：10 A
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—射極飽和電壓：2.8 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGB3NB60KDT4的詳細信息，包括STGB3NB60KDT4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

DDB6U104N16RRB37BPSA1

FS50R12N2T7B15BPSA2

DDB6U104N16RRBPSA1