色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > STB6NK60Z-1

STB6NK60Z-1

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 7011
說明：: MOSFET N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A

一、本商品被瀏覽0次.

STB6NK60Z-1 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：47 ns
上升時間：14 ns
功率耗散：110 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：19 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.2 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB6NK60Z-1的詳細信息，包括STB6NK60Z-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1