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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：40 ns
上升時間：8 ns
功率耗散：45 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.92 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB6NM60N的詳細信息，包括STB6NM60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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