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SQM85N03-06P-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2673
說明：: MOSFET 30V 60A 100W N-Ch Automotive

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SQM85N03-06P-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：32 nS
上升時間：7 nS
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：47 nC
下降時間：6 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.006 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM85N03-06P-GE3的詳細信息，包括SQM85N03-06P-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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