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SQM85N10-10-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263
數量：
 2682  
說明：
 MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
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SQM85N10-10-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：90 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：130 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0105 Ohms
漏極連續電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM85N10-10-GE3的詳細信息，包括SQM85N10-10-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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