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SQM110N04-03-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數量：: 2547
說明：: MOSFET 40V 110A 375W 2.8mohm @ 10V

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SQM110N04-03-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：170 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：110 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0028 Ohms
漏極連續電流：110 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM110N04-03-GE3的詳細信息，包括SQM110N04-03-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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