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SQM110P04-04L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 2619
說明：: MOSFET P-CH 40V 120A TO263

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SQM110P04-04L-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫歐 @ 30A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：40V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：120A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：330nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：13980pF @ 20V
功率 - 最大：375W
安裝類型：表面貼裝

以上是SQM110P04-04L-GE3的詳細信息，包括SQM110P04-04L-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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