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SQJ912EP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK SO-8L
數量:
 8793  
說明:
 MOSFET 40V 8A 48W N-Ch Automotive
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SQJ912EP-T1-GE3-PowerPAK SO-8L圖片

SQJ912EP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SQJ912EP-GE3
典型關閉延遲時間:33 nS
上升時間:21 nS
功率耗散:48 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:31.5 nC
下降時間:19 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8L
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms at 10 V
漏極連續電流:8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQJ912EP-T1-GE3的詳細信息,包括SQJ912EP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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