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SQJ962EP-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SO-8 雙
數量:
 8820  
說明:
 MOSFET 60V 8A 25W
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SQJ962EP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8 雙圖片

SQJ962EP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SQJ962EP-GE3
典型關閉延遲時間:16 ns
上升時間:11 ns
功率耗散:25 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:8.5 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降時間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8L
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.06 Ohms
漏極連續電流:8 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQJ962EP-T1-GE3的詳細信息,包括SQJ962EP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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