SQD30N05-20L_GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 6102
說明：: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA

一、本商品被瀏覽0次.

SQD30N05-20L_GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1175 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 20A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：55 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SQD30N05-20L_GE3的詳細(xì)信息，包括SQD30N05-20L_GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ