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SQD35N05-26L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 2178
說明：: MOSFET 55V 35A 50W 20mohm @ 10V

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SQD35N05-26L-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SQD35N05-26L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數(shù)量：2000
上升時間：18 ns
功率耗散：7.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：100 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD35N05-26L-GE3的詳細信息，包括SQD35N05-26L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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