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SPB35N10 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 2646
說明：: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

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SPB35N10 G-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

SPB35N10 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：44 毫歐 @ 26.4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：35A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 83µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1570pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安裝類型：表面貼裝

以上是SPB35N10 G的詳細(xì)信息，包括SPB35N10 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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