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SPB35N10T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 2655
說明：: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

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SPB35N10T PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：44 毫歐 @ 26.4A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：35A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 83µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1570pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安裝類型：表面貼裝

以上是SPB35N10T的詳細信息，包括SPB35N10T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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