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SP8M6HZGTB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數量：: 9988
說明：: 30V NCH+PCH POWER MOSFET. SP8M6H

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SP8M6HZGTB PDF參數資料

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中文參數如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：230pF @ 10V，490pF @ 10V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.9nC @ 5V，5.5nC @ 5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：51 毫歐 @ 5A，10V，90 毫歐 @ 3.5A，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5A（Ta），3.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：-
配置：N 和 P 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是SP8M6HZGTB的詳細信息，包括SP8M6HZGTB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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